mos管关闭条件,mos管关断条件

大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于mos管关闭条件的问题，于是小编就整理了3个相关介绍mos管关闭条件的解答，让我们一起看看吧。

1. pmos管关断条件？
2. n型沟道mos管导通条件？
3. MOS管不能完全关断，是什么原因？

pmos管关断条件？

Pmos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V

如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw

那么mos管不导通，D为0V，

所以，如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。

那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。

如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V，那么GPIO高电平的时候为1.8V，GS为1.8-2.8=-1V，mos管导通，不能够关断。

GPIO为低电平的时候，***如0.1V，那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。

n型沟道mos管导通条件？

N沟道MOS管（一般源极接地），只要栅源电压Vgs>Vth（通常是0.7V左右），便可在栅极下面的P衬底形成N型沟道，将源极和漏极连在一起，成为导电通道；这时只要在漏极加上电压，便可形成电流，此时电流同时受Vgs和Vds控制；当Vgd＝Vgs－Vds＜Vth时，沟道在漏极夹断，管子进入饱和区，此时电流仅受Vgs控制（忽略沟道长度调制效应）；当漏源电压Vds太大时，会发生源漏穿通，即漏极和源极连在一起，相当于发生了击穿，此时会产生很大的电流。

当栅源电压Vgs太大时，也会发生击穿，即栅氧化层被击穿，此时管子失效。

n沟道mos管导通条件

　　导通时序可分为to~t1、t1~t2、t2~t3、t3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。

　　1）t0-t1：CGS1开始充电，栅极电压还没有到达VGS（th），导电沟道没有形成，MO***ET仍处于关闭状态。

　　2）［t1-t2］区间，GS间电压到达Vgs（th），DS间导电沟道开始形成，MO***ET开启，DS电流增加到ID，Cgs2迅速充电，Vgs由Vgs（th）指数增长到Va。

　　3）［t2-t3］区间，MO***ET的DS电压降至与Vgs相同，产生Millier效应，Cgd电容大大增加，栅极电流持续流过，由于Cgd电容急剧增大，抑制了栅极电压对Cgs的充电，从而使得Vgs近乎水平状态，Cgd电容上电压增加，而DS电容上的电压继续减小。

　　4）［t3-t4］区间，至t3时刻，MO***ET的DS电压降至饱和导通时的电压，Millier效应影响变小，Cgd电容变小并和Cgs电容一起由外部驱动电压充电，Cgs电容的电压上升，至t4时刻为止。此时Cgs电容电压已达稳态，DS间电压也达最小，MO***ET完全开启。

MOS管不能完全关断，是什么原因？

中间出现了不能关断的症状 发现大家都觉得是电路问题，我一开始也认为是电路问题，经过反复折腾，发现问题不是出在电路，是焊接 ，这些管子特别脆弱，一搞就容易挂，= =！，写一篇随笔总结，出现同样问题的朋友，可以注意一下

1.焊接时间不能过长

2.焊接的烙铁要接地防静电，最好带个静电手环焊接

到此，以上就是小编对于mos管关闭条件的问题就介绍到这了，希望介绍关于mos管关闭条件的3点解答对大家有用。